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这一研究成果以《Selenium alloyed tellurium oxide for amorphous p-channel transistors》为题，于北京时间10日23时在权威期刊《Nature》以加速预览形式(Accelerated Article Preview)在线发表。该成果由中国电子科技大学和韩国浦项科技大学共同合作完成。论文第一单位为电子科技大学基础与前沿研究院，电子科技大学基础与前沿研究院教授刘奥为论文第一作者和通讯作者。
（撰稿：师全爽）本文来自网友发表，不代表本网站观点和立场，如存在侵权问题，请与本网站联系。未经本平台授权，严禁转载！
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